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电子是一种基本粒子,目前无法再分解为更小的物质。其直径是质子的0.001倍,重量为质子的1/1836。电子围绕原子的核做高速运动。电子通常排列在各个能量层上。当原子互相结合成为分子时,在最外层的电子便会由一原子移至另一原子或成为彼此共享的电子。

这是由爱尔兰物理学家乔治·丁·斯通尼于1891年根据电的electric + -on“子”造的字 电子属于亚原子粒子中的轻子类。 轻子被认为是构成物质的基本粒子之一,即其无法被分解为更小的粒子。它带有1/2自旋,即又是一种费米子(按照费米—狄拉克统计)。电子所带电荷为e=1.6 × 10的-19次方库仑,质量为9.10 × 10-31 kg (0.51 MeV/c2)。通常被表示为e-。电子的反粒子是正电子,它带有与电子相同的质量,自旋和等量的正电荷。

电子工程术语   

1-Wire 单线(加地线)通信协议。   

1-Wire Master (1-Wire主机) 1-Wire接口主机控制器。   

10GbE 10吉比特以太网。   

3G 第三代移动电话协议,支持更高的数据速率,用于非语音信号的传输,例如:多媒体和互联网接入。   

3GPP 第三代移动通信合作项目,蜂窝电话技术协作www.3gpp.org/ (English only)。

802.11 用于规定固定、便携终端及局域网移动站之间1Mbps和2Mbps无线互连的媒体访问及物理层规范的IEEE标准。   

802.11a 管理5GHz OFDM系统部署的IEEE标准,它规定无线UNII b物理层的实现。

802.11b 工作于2.4GHz并能提供11Mbps最大数据传输速率的无线局域网(WLAN) IEEE国际标准。   

802.11g 描述无线组网方法的推荐标准,用于2.4GHz无线频段(ISM:工业、科学及医用频段) WLAN,其数据传输速率高达54Mbps。   

A-Weighting (A加权) A加权是一种用于音频测量的标准权重曲线,用于反映人耳的响应特性。   

声压电平源于A加权,用“dBA”表示,或A加权dB电平。   

A/D Converter (A/D转换器) 模/数转换器,也称为A/D转换器,是将模拟信号转换成数字数据流(数字信号)的电路。   

AC 交流:随时间、开关极性变化的信号或电源,一般为固定频率的正弦波。

Accelerometer (加速度计) 用于测量加速度的传感器或变送器。   

ACPI 高级配置与电源接口:一项行业标准规范(由Hewlett-Packard、Intel、Microsoft、Phoenix及东芝公司共同开发,面向笔记本电脑、台式机及服务器,由操作系统直接实现电源管理,是APM的替代标准)。   

变频器,软启动器,PLC等在电力领域占据一定的市场主导。   

微电子技术是随着集成电路,尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子技术包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术,微电子技术是微电子学中的各项工艺技术的总和。 微电子技术是在电子电路和系统的超小型化和微型化过程中逐渐形成和发展起来的。   

第二次世界大战中、后期,由于军事需要对电子设备提出了不少具有根本意义的设想,并研究出一些有用的技术。1947年晶体管的发明,后来又结合印刷电路组装使电子电路在小型化的方面前进了一大步。到1958年前后已研究成功以这种组件为基础的混合组件。集成电路的主要工艺技术,是在50年代后半期硅平面晶体管技术和更早的金属真空涂膜学技术基础上发展起来的。1964年出现了磁双极型集成电路产品。1962年生产出晶体管——晶体管理逻辑电路和发射极藉合逻辑电路。MOS集成电路出现。由于MOS电路在高度集成方面的优点和集成电路对电子技术的影响,集成电路发展越来越快。   

70年代,微电子技术进入了以大规模集成电路为中心的新阶段。随着集成密度日益提高,集成电路正向集成系统发展,电路的设计也日益复杂、费时和昂贵。实际上如果没有计算机的辅助,较复杂的大规模集成电路的设计是不可能的。70年代以来,集成电路利用计算机的设计有很大的进展。制版的计算机辅助设计、器件模拟、电路模拟、逻辑模拟、布局布线的计算辅助设计等程序,都先后研究成功,并发展成为包括校核、优化等算法在内的混合计算机辅助设计,乃至整套设备的计算机辅助设计系统。   

集成电路制造的计算机管理,也已开始实现。此外,与大规模集成和超大规模集成的高速发展相适应,有关的器件材料科学和技术、测试科学和计算机辅助测试、封装技术和超净室技术等都有重大的进展。

电子技术发展很快,在工艺技术上,微细加工技术,如电子束、离子束、X射线等复印技术和干法刻蚀技术日益完善,使生产上在到亚微米以至更高的光刻水平,集成电路的集成弃将超大型越每片106—107个元件,以至达到全图片上集成一个复杂的微电子系统。高质量的超薄氧化层、新的离子注入退火技术、高电导高熔点金属以其硅化物金属化和浅欧姆结等一系列工艺技术正获得进一步的发展。在微电子技术的设计和测试技术方面,随着集成度和集成系统复杂性的提高,冗余技术、容错技术,将在设计技术中得到广泛应用。   

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